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本发明公开了一种改善多晶硅台阶侧面金属残留的方法包括如下步骤：步骤一、形成多晶硅层并形成光刻胶图形定义出多晶硅结构的形成区域。步骤二、对多晶硅层进行刻蚀形成具有垂直侧面台阶的多晶硅结构。步骤三、沉积厚度大于等于侧面台阶的高度的第一氧化层。步...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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