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一种半导体器件及其形成方法，其中方法包括：提供待刻蚀材料层，所述待刻蚀材料层上具有顶层掩膜层；在所述顶层掩膜层中形成贯穿顶层掩膜层的第一开口，第一开口的侧壁材料具有第一密度；对第一开口的侧壁进行第一表面处理工艺，使第一开口的侧壁材料具有第二...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。