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本发明公开了一种外延生长方法，在第一导电类型的硅衬底上的沟槽中，先在沟槽内淀积一层含碳的且浓度渐变的衬垫外延层，然后沟槽内再填充满第二导电类型的外延层；所述的浓度渐变，是指衬垫外延层中含碳的浓度，靠近衬底的一侧浓度最高，往沟槽中间方向浓度逐...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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