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本发明涉及太阳能多晶黑硅片领域，公开了一种太阳能多晶黑硅片的清洗方法。该清洗方法包括一次水洗、碱洗、一次漂洗、混合酸洗及二次漂洗，本发明适用于经长时间放置或运输后表面被氧化或污染的湿法制备的黑硅片的清洗。此清洗方法能够保证清洗前后黑硅片反射...
该专利属于横店集团东磁股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过横店集团东磁股份有限公司授权不得商用。

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