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本发明公开了一种应用于MEMS器件的TiN薄膜刻蚀方法，包括如下步骤：步骤1、对覆盖有非晶硅膜或者氧化硅膜的硅基板进行加热，通过加热对硅基板进行表面处理，去除硅基板表面的水汽；步骤2、在所述硅基板的表面形成一层Ti薄膜，然后对硅基板进行N2...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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