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本实用新型涉及一种具有埋层结构的新型双面电荷槽型SOI LDMOS，包括第一掺杂类型的衬底，所述衬底上设有双面电荷槽，所述双面电荷槽的顶部槽内通过离子注入的方式还设有多个第一掺杂类型且掺杂浓度不等的埋层，所述埋层的掺杂浓度按照从靠近漏端到远...
该专利属于西安因变光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过西安因变光电科技有限公司授权不得商用。

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