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本实用新型涉及一种防御声学攻击的MEMS惯性传感器。现有薄膜型声学超材料结构尺寸过大。本实用新型包括MEMS惯性传感器模块和防御声学攻击模块。MEMS惯性传感器模块由下向上依次包括第一硅衬底、第一SiO2刻蚀停止层、下多晶硅圆环电极、SiO...
该专利属于杭州电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过杭州电子科技大学授权不得商用。

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