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本发明公开一种横向锗探测器结构，其中，横向锗探测器结构为横向光电二极管结构，包括硅衬底；硅氧化层沉积于硅衬底的上表面；硅氧化层上包括顶层硅，顶层硅的一侧形成第一掺杂区域，于第一掺杂区域的上表面形成第一电极；顶层硅的上表面形成耦合层，于耦合层...
该专利属于南通赛勒光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南通赛勒光电科技有限公司授权不得商用。

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