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本申请涉及用于嵌入式存储器应用的横向扩散MOSFET。例如，提供一种特别适用于密集间距环境如集成存储器应用中的线驱动器的横向扩散MOSFET LDMOS设备架构。在一个实施方案中，例示性高压MOSFET设备包括：主体(第一导电类型的半导体)...
该专利属于半导体组件工业公司所有，仅供学习研究参考，未经过半导体组件工业公司授权不得商用。

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