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一种毫米级长方形单层单晶石墨烯的制备方法，属于薄膜石墨烯材料技术领域。本发明在氩气的气氛下，对铜箔进行加热，当加热至所需温度时，氩气停止，然后维持铜箔温度，通入氢气，并通过控制氢气流量，使铜箔表面的多晶结构转变为单晶结构。在制备过程中，通过...
该专利属于绍兴文理学院所有，仅供学习研究参考，未经过绍兴文理学院授权不得商用。

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