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本发明公开了一种大尺寸碳化硅单晶板的制备方法，涉及半导体材料制备方法技术领域。所述方法通过助溶剂导模法制备大尺寸碳化硅单晶板，并设计了一种SiC/Cr导电模具，SiC/Cr导模模具将熔体以界面张力吸引至毛细方孔结构中，通过毛细方孔结构加热进...
该专利属于孟静所有，仅供学习研究参考，未经过孟静授权不得商用。

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