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一种半导体级石英坩埚及其制造方法，采用了纯度更高、杂质含量更少的高纯石英砂、高效隔离石英砂、高纯人工合成非晶体态石英砂，通过原料准备、装料、料成型准备、料成型、熔制准备、熔制、后处理步骤，在石英坩埚本体表面生成了第一保护层，在第一保护层表面...
该专利属于宁夏富乐德石英材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过宁夏富乐德石英材料有限公司授权不得商用。

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