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一种真空辅助制备三层g-C3N4/TiO2同轴复合纳米结构的方法技术
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类石墨相氮化碳(g‑C3N4)作为一种典型的聚合物半导体,具有2.7eV的禁带宽度,可以直接利用太阳光中的可见部分进行有机污染物的降解,在环境光催化领域具有巨大的潜力。然而,通过热聚合制备的g‑C3N4通常具有较差的结晶度,光生载流子传输速...
该专利属于青岛科技大学所有,仅供学习研究参考,未经过青岛科技大学授权不得商用。
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