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本发明公开了一种光催化石墨烯/硅复合膜、制备方法以及应用，该薄膜材料由石墨烯纳米薄膜磁控溅射纳米硅层形成。其中石墨烯为层间交联结构，电导率为1‑1.5MS/m。在光照射下，石墨烯硅界面层会产生光生载流子；在外电场作用下，形成电子界面和空穴界...该专利属于杭州高烯科技有限公司;浙江大学所有，仅供学习研究参考，未经过杭州高烯科技有限公司;浙江大学授权不得商用。
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本发明公开了一种光催化石墨烯/硅复合膜、制备方法以及应用，该薄膜材料由石墨烯纳米薄膜磁控溅射纳米硅层形成。其中石墨烯为层间交联结构，电导率为1‑1.5MS/m。在光照射下，石墨烯硅界面层会产生光生载流子；在外电场作用下，形成电子界面和空穴界...