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本发明提供一种石墨烯紫外LED，石墨烯紫外LED包括：蓝宝石基底；石墨烯层，位于所述蓝宝石基底上；以及LED单元，位于所述石墨烯层上。本发明的石墨烯紫外LED器件可大大降低AlN薄膜中的应力和位错密度，使得制成的石墨烯紫外LED具有很高的发...
该专利属于北京石墨烯研究院;北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京石墨烯研究院;北京大学授权不得商用。

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