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本发明提供了一种深紫外LED芯片的外延结构，包括依次叠加设置的P型GaN层，P型AlGaN层，多量子阱有源层，N型AlGaN层，AlN层和蓝宝石衬底，其特征在于，所述多量子阱有源层和N型AlGaN层共同组成调节层，所述调节层具有至少一个倾斜...该专利属于华中科技大学鄂州工业技术研究院;华中科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过华中科技大学鄂州工业技术研究院;华中科技大学授权不得商用。