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本发明属于氮化镓基LED外延片设计应用技术领域，提供了一种降低氮化镓基LED发光二极管工作电压的外延片及生长方法。该外延片从下向上依次为蓝宝石图形化AlN衬底、未掺杂的低温氮化镓缓冲层、未掺杂的高温氮化镓层、掺SiH4的N型氮化镓导电层、有...
该专利属于淮安澳洋顺昌光电技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过淮安澳洋顺昌光电技术有限公司授权不得商用。

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