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本发明公开了一种基于自对准工艺的IBC太阳能电池的制备方法，通过去除覆盖在开槽的垂直表面的制绒掩膜层，并在将硅片进行制绒清洗的同时去除覆盖在开槽的垂直表面的P+发射层，使N+背表面场与位于开槽底部水平面的P+发射层实现自动对准隔离，降低了隧...该专利属于国家电投集团西安太阳能电力有限公司;国家电投集团西安太阳能电力有限公司西宁分公司;国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过国家电投集团西安太阳能电力有限公司;国家电投集团西安太阳能电力有限公司西宁分公司;国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司授权不得商用。