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本发明涉及功率半导体技术，特别涉及一种低导通功耗绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管。本发明对传统横向绝缘栅双极型晶体管的阴极区进行了改造，通过隔离氧化层将器件分为MOS区和传统LIGBT结构区，MOS区分为第一NMOS区和第二MOS区，第一N...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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