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本发明提供了一种横向扩散金属氧化物半导体的制备方法，包括：提供一衬底；在所述衬底表面形成一氧化层；刻蚀所述氧化层以形成具有垂直侧壁的图案化的氧化层；在所述衬底和所述图案化的氧化层上形成一辅助层；刻蚀所述辅助层暴露所述衬底和所述图案化的氧化层...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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