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本发明公开了一种带电极的反向台面超薄晶片及其制备方法，从上而下包括上电极、目标晶片、下电极、隔离层和支撑衬底晶片；其中目标晶片的厚度为10~80μm，目标晶片的材料为钽酸锂、铌酸锂或石英；上电极和下电极均为厚度为5nm~1μm的金属膜，支撑...
该专利属于济南晶正电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过济南晶正电子科技有限公司授权不得商用。

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