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本发明提供了一种变组分反射式NEAAlxGa1‑xN纳米线阵列光电阴极，其特征在于，该光电阴极自下而上由衬底层、若干p型GaN纳米线、若干组分渐变p型AlxGa1‑xN纳米线和Cs/O激活层组成；所述组分渐变p型AlxGa1‑xN纳米线是由...
该专利属于南京理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过南京理工大学授权不得商用。

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