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本发明公开了一种制备多孔网状结构GaN单晶薄膜的方法，其步骤包括：在蓝宝石衬底上生长厚度范围在0.1‑2微米的氧化镓薄膜；氨气气氛下氮化，形成多孔网格状分布的GaN/Ga2O3复合薄膜；氢氟酸腐蚀，得到多孔化结构的GaN单晶薄膜。该方法制得...
该专利属于南京大学所有，仅供学习研究参考，未经过南京大学授权不得商用。

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