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本发明公开了一种高机电耦合系数CMUT及其制备方法，该CMUT针对常规CMUT中等面积支柱区域电容大于等面积空腔区域电容而导致寄生电容大、机电耦合系数小的问题，通过上电极绝缘层厚度的方波形设计使得位于支柱区域上侧的上电极之间的电极连线和上电...
该专利属于西安交通大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安交通大学授权不得商用。

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