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一种制作磁性随机存储器顶电极孔的方法，包括：在表面抛光的CMOS基底上形成底电极，并在底电极上形成包括硬掩膜层的磁性隧道结多层膜；在硬掩膜层上图形化定义磁性隧道结图案，利用硬掩膜层对磁性隧道结多层膜和底电极进行图案刻蚀；在刻蚀后的底电极和磁...
该专利属于上海磁宇信息科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海磁宇信息科技有限公司授权不得商用。

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