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一种半导体结构的形成方法、LDMOS晶体管及其形成方法，半导体结构的形成方法包括：提供基底，所述基底包括：衬底和位于所述衬底上鳍部；进行隔离注入处理，在所述鳍部内形成隔离区。所述隔离区是通过隔离注入处理而形成的，所以形成所述隔离区的过程无需...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。