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一种半导体器件及其形成方法，其中方法包括：提供包括第一区和第二区的基底；形成位于基底第一区中的第一掺杂区和位于基底第二区中的第二掺杂区，第二掺杂区中掺杂有阻挡离子；在第一掺杂区表面和第二掺杂区表面形成第一金属层；在第一金属层表面形成第二金属...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。