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一种半导体器件及其形成方法，其中方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面形成鳍部结构，形成鳍部结构的方法包括：形成位于半导体衬底表面的第一鳍部，第一鳍部包括防穿通区，所述防穿通区位于鳍部结构中的底部区域；在至少部分防穿通区中形成绝缘层...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。