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本实用新型属于太赫兹技术领域，具体涉及一种太赫兹天线结构及包括该天线结构的辐射源和探测器。本实用新型通过将常规太赫兹天线结构的半导体衬底厚度从几百微米减小到几微米，以及把高介电常数的硅透镜替换成低介电常数的透镜，提高了金属天线的输入电阻，提...
该专利属于中国科学院福建物质结构研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院福建物质结构研究所授权不得商用。

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