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本发明公开一种锥形阵列宽带吸收器及其制备方法,其中,所述方法包括采用纳米压印方式在反射基底上的压印胶上压出纳米线光栅结构,在纳米线光栅结构顶部沉积一钛膜层,去除反射基底上残留的压印胶;在反射基底上依次交替沉积金属薄膜和电介质薄膜,利用金属薄...该专利属于深圳市融光纳米科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过深圳市融光纳米科技有限公司授权不得商用。
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本发明公开一种锥形阵列宽带吸收器及其制备方法,其中,所述方法包括采用纳米压印方式在反射基底上的压印胶上压出纳米线光栅结构,在纳米线光栅结构顶部沉积一钛膜层,去除反射基底上残留的压印胶;在反射基底上依次交替沉积金属薄膜和电介质薄膜,利用金属薄...