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磁存储元件制造技术
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文档序号:19879923
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一种磁存储元件包括第一磁性层,该第一磁性层具有垂直于第一磁性层的表面的方向上的易磁化轴。第一非磁性层在第一磁性层上。第二磁性层在第一非磁性层上,并且具有固定磁化方向。第二非磁性层在第二磁性层上。第三磁性层在第二非磁性层上,并且具有垂直于第三...
该专利属于索尼公司所有,仅供学习研究参考,未经过索尼公司授权不得商用。
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