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提高具有氧化物半导体膜的晶体管的场效应迁移率及可靠性。一种半导体装置，包括：氧化物半导体膜；栅电极；栅电极上的绝缘膜；绝缘膜上的上述氧化物半导体膜；以及氧化物半导体膜上的一对电极，其中，氧化物半导体膜包括第一氧化物半导体膜及第一氧化物半导体...
该专利属于株式会社半导体能源研究所所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社半导体能源研究所授权不得商用。

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