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本发明公开了一种铸造单晶硅的制备方法，该制备方法包括以下步骤：在石英坩埚底部中心放置一块单晶硅籽晶，装入硅原料和母合金；对石英坩埚进行加热，使硅原料和母合金完全熔化，单晶硅籽晶部分熔化，进入长晶阶段；控制硅熔体的横向温度梯度和纵向温度梯度，...
该专利属于湖南红太阳光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过湖南红太阳光电科技有限公司授权不得商用。

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