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一种晶体硅铸锭坩埚内壁涂层材料制造技术
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文档序号:19876641
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一种晶体硅铸锭坩埚内壁涂层材料,所述的涂层材料为中位径粒度0.5~2.0μm、纯度≧99.99%的氧氮化硅粉体。采用该涂层材料代替常规使用的高纯氮化硅粉体制备晶体硅铸锭坩埚内壁涂层,其与坩埚的结合强度提高,不发生剥落;硅锭脱模情况良好,消除...
该专利属于周浪所有,仅供学习研究参考,未经过周浪授权不得商用。
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