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本发明涉及用于光电解设备(1)的光阴极(7)，其包括：基底(11)；布置在所述基底(11)上的金属导体层(13)；布置在所述金属导体层(13)上的至少一个第一p型第一半导体层(15)；布置在所述第一p型第一半导体层(15)上的至少一个第二p...该专利属于道达尔炼油化学公司;原子能和代替能源委员会;索邦大学;国家科学研究中心所有，仅供学习研究参考，未经过道达尔炼油化学公司;原子能和代替能源委员会;索邦大学;国家科学研究中心授权不得商用。