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描述了用于形成纳米多孔半导体材料的方法。所述方法允许在半导体材料中以窄尺寸分布和超过400:1的纵横比形成亚10nm纳米孔的微尺度阵列。...
该专利属于麻省理工学院所有，仅供学习研究参考，未经过麻省理工学院授权不得商用。

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