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弗萨姆材料美国有限责任公司
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用于在半导体器件的制造过程中选择性除去氮化硅的蚀刻溶液制造技术
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下载用于在半导体器件的制造过程中选择性除去氮化硅的蚀刻溶液的技术资料
文档序号:19874073
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本文描述的是包含水,磷酸溶液(水性的)和含羟基溶剂的蚀刻溶液。这样的组合物可用于在微电子器件制造过程中从其上具有氮化硅和氧化硅的微电子器件相对于氧化硅选择性除去氮化硅。...
该专利属于弗萨姆材料美国有限责任公司所有,仅供学习研究参考,未经过弗萨姆材料美国有限责任公司授权不得商用。
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