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本发明公开了一种基于级联SiC MOSFET的全固态直流断路器拓扑结构，包括控制单元及执行单元，其中，控制单元包括控制器及驱动器，执行单元包括第一控制端子、第二控制端子、第一功率端子、第二功率端子、二极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一...
该专利属于西安交通大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安交通大学授权不得商用。

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