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本发明属于半导体光电子材料领域，提供了一种具有应变减少结构的量子阱绿光LED外延结构，包括由下而上设置的蓝宝石衬底层、GaN低温形核层、u‑GaN层、n‑GaN层、第一应变减少层、InGaN/GaN量子阱有源区、电子阻挡层和p‑GaN层；所...
该专利属于太原理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过太原理工大学授权不得商用。

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