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本发明提供一种紫外LED的外延结构及其制备方法，该外延结构从下至上依次包括：衬底层、缓冲层，非掺杂层，N型掺杂层，多量子阱结构，电子阻挡层以及P型GaN层；其中，所述P型GaN层上具有M个通孔，M≥1且为整数。该外延结构中具有带有通孔的P型...
该专利属于马鞍山杰生半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过马鞍山杰生半导体有限公司授权不得商用。

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