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本发明提供一种具有多晶硅岛的LDMOS器件，N型漂移区的内部上表面有沟槽，沟槽内填有绝缘介质层，沟槽内有多个多晶硅岛，多晶硅岛沿着水平方向等间距排列，多晶硅岛中存储有负电荷，且负电荷的存储量沿着N型漏极接触区到P型体区的方向逐渐减少；本发明...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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