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本发明公开了一种碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管及其制备方法，该碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体的结构包括外延层、漏极、第一导电类型阱区域、第二导电类型源区域、第一导电类型重掺杂区、源电极、栅氧化层、栅电极、钝化保护层及若干个第一导电类型...
该专利属于中国电子科技集团公司第五十五研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第五十五研究所授权不得商用。

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