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本发明涉及半导体技术领域，提供一种半导体器件及其制作方法。所述半导体器件包括：半导体基板；第一介质层；隔离层；第二介质层；栅极金属层；第一源极；第一漏极；第一栅极；第二源极；第二漏极；以及第二栅极；其中，所述第一漏极与所述第二源极在所述栅极...
该专利属于深圳市晶相技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市晶相技术有限公司授权不得商用。

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