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一种绝缘栅双极晶体管及其制备方法，属于功率半导体技术领域。本发明通过在传统沟槽型IGBT器件的基区下方引入用以屏蔽漂移区与栅介质层之间电场的埋层并包围栅介质层以及在基区上表面形成肖特基接触金属，在不影响阈值电压等参数的条件下，降低了器件的导...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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