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本发明涉及一种具有低米勒电容的IGBT器件，其栅极多晶硅体包括屏蔽栅以及控制栅；所述控制栅与下方的第二导电类型体区、第一导电类型源区交叠，屏蔽栅位于第二类型体区之间；屏蔽栅氧化层呈T型，屏蔽栅氧化层的下部伸入第一导电类型漂移区内，控制栅邻近...
该专利属于江苏中科君芯科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏中科君芯科技有限公司授权不得商用。

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