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本发明公开了一种具有稳固短路承受能力的IGBT，属于功率半导体器件技术领域。本发明通过在传统IGBT器件的分立浮空pbody区(8)内引入等效为可变电阻的JFET结构(13)、(14)、(15)和二极管N型区(16)、二极管P型区(17)；...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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