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本发明涉及功率半导体技术，特别涉及一种碳化硅门极可关断晶闸管。本发明对常规碳化硅GTO的阴极区进行改造，通过在P+场截止层3下增加一层N‑IEB层(N type‑Injection Enhanced Buffer layer，N型注入增强缓...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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