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本发明公开了一种竖直结构锗沟道场效应晶体管器件的制造方法。首先在衬底上沉积锗薄膜和镍薄膜，并通过退火形成镍锗合金薄膜作为器件的源极；其次在源极上沉积第一绝缘层薄膜、氮化铪薄膜和第二绝缘层薄膜；刻蚀第一绝缘层薄膜、氮化铪薄膜和第二绝缘层薄膜形...
该专利属于浙江大学所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学授权不得商用。

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