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本发明实施例提供一种肖特基二极管及其制作方法，所述肖特基二极管包括：硅外延片，形成有至少一个沟槽、第一缺口、第二缺口和与所述至少一个沟槽一一对应设置且包围所述沟槽的下部的至少一个沟槽缓冲部；氧化层；多晶硅层；介质层；阳极金属层，相对两侧的边...
该专利属于深圳市晶相技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市晶相技术有限公司授权不得商用。

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