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本发明涉及一种晶体管及其制作方法，所述方法包括：提供第一导电类型的衬底；在所述衬底上形成至少一个沟槽；在所述沟槽内填充隔离材料，以形成隔离区；通过外延工艺，在所述衬底及所述隔离区上方形成第二导电类型的埋层，其中，所述隔离区上方的埋层区域的掺...
该专利属于深圳市南硕明泰科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市南硕明泰科技有限公司授权不得商用。

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